微米级台阶跨越的影响及意义-江苏恒大仪表有限公司

　　超大规模集成电路封锁突破后，我国可以从西方国家直接引进高端设备。1992年，无锡某电子公司开始从美国科技公司引进0.9微米流量计工艺技术、月产6000片6英寸硅片的生产线。1995年初，华晶微电子公司采用1微米工艺研制出8位双向收发器。1995年5月。中国科学院微电子中心开发成功0.8微米工艺，研制出7000门通用模糊控制电路，单项工艺达到0.5微米，是当时国内最高技术水平，相当于国际上80年代末的水平。

　　超大规模集成电路的研制成功和微米级工艺台阶跨越的另一个重大影响在于拉动了我国微电子产业的发展。90年代长期负责电子工业的胡启立曾回忆，他曾被问过多次：“中国人原子弹都做出来了，难道就做不出芯片？你们集中全国的科技人员来攻关，一定可以把芯片给攻下来！”，开始的时候胡启立觉得也很有道理，搞集成电路是不是也可以走“两弹一星”那样自力更生的道路呢？后来，胡启立意识到集成电路的生存和发展与“两弹一星”是有着本质区别的。“两弹一星”是一项国家事业，是国家的战略力量，是非卖品，可以不受价值规律和产业发展规律约束，不需要通过商业化发展；然而，集成电路是一项战略性产业，需要商业化的经营与运作，需要面向广泛的需求和市场，需要形成相当大的产业规模并且要取得良好的经济效益，才能良性发展。

　　正因如此，集成电路一定要走向市场，形成产业，取得效益。集成电路产业需要资金、市场、技术、人才和政策五个方面的协同支持。而超大规模集成电路的研制成功和微米级工艺台阶的跨越在技术和人才两个方面都推动了我国集成电路的产业化。1995年11月，国务院提出“909工程”，其主要内容是：计划投资100亿，建设一条8英寸、0.5微米技术起步、月加工2万片的超大规模集成电路生产线，并且构造成产业链。1996年，“909工程”获得中央批准，上海华虹微电子有限公司成立。1997年，华虹微电子引进日本NEC的资金、管理和技术。1999年，华虹-NEC公司投产0.35微米，64M同步动态存储器（S-DRAM），达到了当时国际主流水准。由图8可见，20世纪90年代中期起，我国的电磁流量计微电子产业开始进入了快速发展时期，在产量突飞猛进的同时，销售额也开始迅速飞升；此外，90年代以后我国集成电路芯片的平均售价也开始逐渐下降。这些数据清晰地说明，90年代初期开始，我国的集成电路真正开始走向产业化和市场化之路，而这条道路的开端正是缘于超大规模集成电路的研制成功和微米级技术台阶的跨越。